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模拟XPS光谱中的Bi5d峰，产车与阳离子聚集的构型相比，在均质阳离子无序的情况下，明显地转移到较低的结合能量(3e)。为了评估AgBiS2纳米晶体的光吸收能力，厉害老干本文使用转移矩阵法计算了可实现的最大短路电流密度（Jsc）。同样，妈第与制备的样品相比，妈第退火的AgBiS2纳米晶体显示了一个小的但明显的化学位移，以降低能量（图3f,g），与本文关于退火时阳离子均匀化的主张一致。

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AgBiS2纳米晶体中，厉害老干Ag位点周围的阳离子分布存在不均匀的无序性。

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